矽漂移探測器（SiliconDriftDetector，簡稱SDD）是半導體探測器的一種，用來探測X射線，廣泛套用在能量色散型X射線螢光光譜儀（XRF）或者X射線能譜儀（EDS）上。最早的SDD探測器的概念是1983年Gatti和Rehak根據側向耗盡的原理提出的。它的主要結構是一塊低摻雜的高阻矽，背面的輻射入射處有一層很薄的異質突變結，正面的異質摻雜電極設計成間隔很短的條紋（通常做成同心圓環狀，參見下圖），反轉偏置場在電極間逐步增加，形成平行表面的電場分量。耗盡層電離輻射產生的電子受該電場力驅動，向極低電容的收集陽極“漂移”，形成計數電流。SDD探測器的最突出特點有：1.高計數率。由於收集陽極的電容極低，相比通常的矽PIN器件，SDD具有更短的上升時間，因而特別適合在高計數率的情況下工作。2.高能量解析度。SDD的陽極面積小於通常矽PIN器件，由於電容的減小，在收集等量電荷的情況下具有更高的電壓，提高了其能量解析度。3.可在常溫下工作。SDD的電容和漏電流要比一般探測器小兩個數量級以上，通常把場效應管（FET）和Peltier效應器件都整合到一起，這樣儀器在常溫下就能滿足SDD的製冷需求，特別適用於攜帶型設備的現場使用。目前市場上代表性的大面積SDD採用了幾何最佳化的GOLDD技術，探測器面積可達到25mm2。
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圖書信息 內容簡介 目錄 熱門詞條cockPseudomonassuspensionwhole《黑色追緝令》劉夢然勃艮第后里馬場吳佳穎大宇宙時代實力我的夢星野普陀山毀謗溯溪王子大飯店生物科技白醬油百日薔薇美國固特異輪胎橡膠公司華山書院護頸枕鹼性食物appetiteCuteFTPNetBeansRequest中華航空股份有限公司傳染病吉他調音器威寶山藥雞湯崔仁奎廣泰金屬工業股份有限公司果凍粉永井大汪玲洋洋旅行社甲基咪唑蔡淑華變形金剛3鐵杉樹叢麥香奶茶Elizabeth Short書桌減肥藥原諒彌勒大道瀟灑小姐牛軋糖博物館電子護照